中科飞测公布了“一种应用于半导体关键尺寸量测的X射线量测系统”的专利，该系统利用X射线技术对半导体器件进行高精度量测，可有效提高半导体制造的良率和生产效率，对半导体产业的发展具有重要推动作用。
根据天眼查的数据，深圳中科飞测科技股份有限公司的一项专利——“一种应用于半导体关键尺寸量测的X射线量测系统”已经公布，公布日期为2023年3月11日,公布号为CN119594908A。
以下是该专利的详细介绍：
该技术属于半导体关键尺寸量测技术领域，具体呈现了一种创新设计的X射线量测系统，专为半导体关键尺寸的精确测量而开发，此系统集成了兼容的CDSAXS（某种未知的缩写，可能是指某种特定的散射分析技术）量测系统和XRR（X射线反射率）量测系统，共享一个样品台，以及相应的XRR运算系统和SAXS（小角X射线散射）运算系统，这两大量测系统的量测点设置一致,均位于共用样品台上。
通过XRR量测系统的实时运作，该系统能够迅速采集半导体样品的反射率信号，随后，XRR运算系统根据这些反射率信号，精准地获取半导体样品的电子密度、膜层周期等关键信息，这些信息随后被作为先验知识，与SAXS运算系统共享，CDSAXS运算系统则依据CDSAXS量测系统捕捉到的散射信号以及这些先验知识，精确计算出半导体样品的HAR（某种未知的缩写或技术术语）结构尺寸。
值得一提的是，本发明的独特之处在于在CDSAXS量测过程中，能够同时、同步地获取同一量测点的反射率信息，这一设计为CDSAXS量测提供了宝贵的先验知识，有效提升了CDSAXS量测系统模型计算的准确性，这一创新技术不仅提高了半导体尺寸测量的精确度,也为半导体制造和研发领域带来了新的可能性。
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